Grafik, die das Wafersägens mittels mechanischen Trennschleifen eines Materials darstellt

Ihre Wafer in guten Händen

Ein Wafer ist ein flacher Rohling aus Halbleitermaterialien wie Silizium oder Galliumarsenid. Wafer werden in der Halbleiterindustrie als Ausgangsmaterial für die Herstellung von Mikrochips und anderen elektronischen Komponenten verwendet. Das Wafer Dicing beschreibt die Präzisionsbearbeitung mittels mechanischem Trennschleifen (Sägen) von Wafern und Substraten aus HTCC (high temperature co-fired ceramics) und LTCC (low temperature co-fired ceramics), wie etwa Keramik, Silizium, Glas, Germanium, Saphir, Quarz, COB-Leiterplatten oder Metallfolien. Vorteilig beim Einsatz der Wafersäge ist die äußerst präzise Vereinzelung der Wafer, die exakte Kantenqualität sowie die Vielfalt der zu bearbeitenden Materialien – kurze Rüstzeiten inklusive.

 

Bearbeitungsmöglichkeiten von Wafern

Das Trennen von Wafern und Substraten in einzelne Chips ist ein wesentlicher Schritt in der Halbleiter- und Mikrotechnologie. Das Wafersägen erfolgt in der Regel mit Sägeblättern, die entlang der Sawing- oder Grooving-Linien durch den Wafer geführt werden, um ihn mittels Trennschleifen, Formatieren oder Vereinzeln in kleine Chips zu teilen. Alternativ können Scribe-Linien auf der Wafer-Oberfläche angebracht werden, um das Trennen zu erleichtern. Die Wahl des geeigneten Säge- und Trennverfahrens und des endgültigen Durchmessers hängt dabei von den spezifischen Anforderungen des Prozesses ab. Dies erfordert hohe Präzision, um Beschädigungen und Materialrückstände an den Chips zu vermeiden und die volle Funktionalität des Endprodukts zu gewährleisten.

Technische Details

Folgende Möglichkeiten bieten wir Ihnen für die Nutzenbearbeitung Ihrer Wafer und Substrate an:

  • vollständiges Durchtrennen des vorab gemounteten (aufgeklebten) Werkstücks auf Trägerfolie
  • Herstellung von Gehrungsschnitten
  • reine Oberflächenbearbeitung durch Einbringen von Nuten und Kerben (Grooving)
  • Kreisschnitte zum Verkleinern des Wafers
  • Trimmen zur Verbesserung der Kantenqualität

Wir bearbeiten folgende Materialien - jeweils mit oder ohne optischen Vergütungsschichten oder bereits bedruckten oder besputterten Funktionsschichten:

  • Aluminiumoxid (Al2O3) – Dickschicht- und Dünnfilmsubstrate
  • Aluminiumnitrid (AlN), Zirkonoxid (ZrO2), Siliziumnitrid (SiN)
  • LTCC, Hybride, PCBs
  • Borosilikat, Float-, Quarz- oder Saphirglas
  • mono- oder polykristallines Silizium

 

Geliefert werden können die vereinzelten Wafer und Substrate auf Folie im Sägerahmen belassen, in 2“ oder 4“ Wafflepacks, bereits gegurtet oder in Transportbehältnissen Ihrer Wahl.

Weitere Details finden Sie in unseren Datenblättern.

Materialien, aus denen Wafer hergestellt werden

Wafer können aus verschiedenen Halbleiter- und Substratmaterialien hergestellt werden.

Halbleitermaterialien:

  • Silizium (Si)
  • Gallium (Ga)
  • Germanium (Ge)

Substratmaterialien:

  • Quarz
  • Keramik (LTCC und HTCC)
  • Glas
  • Borosilikatglas (Borofloat® und MEMpax®)
  • Panels
  • polykristalline Materialien

Typische Anwendungsbereiche für das Wafersägen

Für folgende Anwendungen findet das Wafersägen seinen Einsatz:

  • Abstufen und Vereinzeln von IR-Filterelementen
  • Trennen von Halbleiterbauelementen (optoelektronischen Komponenten, LEDs)
  • Herstellung von Keramikeinzelbauteilen in Kombination mit Laserbearbeitung als SMD-Bauteile nach JEDEC-Standard
  • Strukturierung von Quarzglaselementen
  • Trennen von Mehrlagenkeramiken (LTCC) im bedruckten Zustand
  • Trennen von Piezokeramiken für Signalgebung oder Feinpositionierung

Wafer Sawing für verschiedene Produkte

Der Schleifprozess beim Wafer Dicing ist komplex und ein hochpräziser Vorgang, mit dem eine Vielzahl von Produkten hergestellt werden kann. Dabei ist eine hervorragende Kantenqualität entscheidend, um die Funktionalität des Endproduktes zu gewährleisten. Wir unterstützen Sie bei der Herstellung von:

  • Dioden
  • MEMS (Mikroelektromechanische Systeme)
  • Chips
  • LED-Modulen
  • Sensor Packaging
  • Optische Filter und Sensoren
  • Strahlungs- und Durchflusssensoren
  • Halbleiterbauelementen Si, Leistungshalbleiter SiC, GaN
  • Drucksensoren
  • Schaltungsträgern
gesägter Aluminiumoxid-Wafer (0,8 x 0,3 x 0,25mm) auf Blue Tape
Aluminiumoxid (0,8 x 0,3 x 0,25mm) auf Blue Tape, gesägt
gesägte, goldbeschichtete Kunststofffolie auf Blue Tape
goldbeschichtete Kunststofffolie auf Blue Tape, gesägt
gesägter Wafer aus Al2O3, einzelne Würfel/Abstandshalter 1,2 x 0,8 x 3,0mm auf UV-Tape
Abstandhalter Al2O3, Würfel 1,2 x 0,8 x 3,0mm auf UV-Tape, gesägt
Multilayer-LTCC-Keramik, Kombinationsbearbeitung Wafer Dicing und Laserbearbeitung
Multilayer-LTCC-Keramik, Kombinationsbearbeitung Wafer Dicing und Laserbearbeitung

Datenblätter zum Download

  • pdf
    Wafer Dicing
    76 KB
  • pdf
    Keramikbearbeitung
    76 KB
  • pdf
    Designrichtlinie Keramik
    448 KB
  • pdf
    Datentransfer
    89 KB

Unsere Leistungen für Sie

Wir bearbeiten Ihre Substrate und Wafer nach Ihren Vorgaben. Je nach Einbaubedingungen und Anwendungszweck kann sich auch eine Kombination aus Laser- und Dicing-Bearbeitung als sinnvoll und nützlich erweisen. Hier stehen Ihnen unsere Mitarbeiter gern beratend zur Seite.

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