Wenn Härte auf Präzision trifft: Innovative Laserbearbeitung technischer Keramiken für die Halbleiterindustrie

Technologie, Material & Anwendung
Laserprozess mit wasserstrahlgeführter Lasertechnologie die Siliziumcarbid (SiC) bearbeitet

Der LCP-Fachbeitrag in der Ceramic Applications beleuchtet die Laserbearbeitung von SiC- und SiN-Komponenten im Wafer-Handling.

Hochleistungskeramiken wie Siliziumkarbid (SiC) und Siliziumnitrid (SiN) und ähnliche sind aufgrund ihrer hohen Bruchzähigkeit und geringen thermischen Ausdehnung prädestiniert für Anwendungen in der Halbleiterindustrie wie zum Beispiel dem Wafer-Handling. Gleichzeitig stellen jedoch sehr hohe  Härte und hohe Festigkeit höchste Anforderungen an die Bearbeitung dieser Werkstoffe, wobei die mechanische Bearbeitung hier schnell an Ihre Grenzen stößt. Wobei die Lasermaterialbearbeitung hier Abhilfe bietet.

In unserem aktuellen Fachbeitrag „When hardness meets precision: Innovative machining of technical ceramics for the semiconductor industry“ [nur in Englisch verfügbar] in der Ceramic Applications, Ausgabe 01/2026 zeigen wir, wie die wasserstrahlgeführte Laserbearbeitung, präzise, verschleißarme und prozesssichere Lösungen ermöglichen.

Lesen Sie den gesamten Artikel und entdecken Sie, wie die neue Lasertechnologie völlig neue Ansätze für die Bearbeitung von Hochleistungskeramik öffnet!

Fachbeitrag Ceramic Applications 1/2026 (nur englisch)

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    When hardness meets precision: Innovative laser machining of technical ceramics for the semiconductor industry

Die Inhalte basieren auf den Ergebnissen des öffentlich geförderten Forschungsprojektes SAPHIR (03RU1U164E).

     

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